存储芯片行业重大突破：长鑫存储发布DDR5与LPDDR5X新品
发布时间：
2025-11-24 08:47:50
来源： 保山日报网
周末，存储芯片领域迎来一则重磅消息！
11月23日，在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储正式发布了其最新的DDR5产品系列，该系列最高速率高达8000Mbps，最高颗粒容量达到24Gb，展现了国产存储芯片在速率与容量上的双重突破。同时，长鑫存储还现场展示了其最新LPDDR5X移动端内存，最高速率可达10667 Mbps，最高颗粒容量为16Gb，进一步巩固了其在移动存储市场的领先地位。
多家行业媒体纷纷报道，长鑫存储此次发布的两大产品系列在速率和容量两个维度上均位居业界第一梯队，这标志着国产存储芯片已经具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力，为国产存储芯片的发展注入了新的活力。
长鑫存储DDR5内存新品发布，覆盖全场景领域据长鑫存储官网消息，在11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，首次全面展示了其DDR5和LPDDR5X两大产品线的最新产品。
长鑫存储发布的最新DDR5产品系列，不仅最高速率达到了惊人的8000Mbps，最高颗粒容量也提升至24Gb。此外，长鑫存储还推出了UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖了服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足了各领域对高端存储芯片的市场需求。
与此同时，长鑫存储还同台展出了其近期发布的LPDDR5X产品。该系列针对移动市场旗舰产品，最高速率可达10667Mbps，最高颗粒容量为16Gb，并涵盖了12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案，为移动设备提供了更加丰富的存储选择。
长鑫存储表示，公司通过DDR与LPDDR双线创新突破，将进一步丰富全球存储芯片的供给，为下游客户创造多元价值选择。长鑫存储将持续深耕技术迭代，精准响应市场需求，以自主实力引领产业生态协同升级。
长鑫存储：一体化存储器制造的佼佼者公开资料显示，长鑫存储是一家专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）设计、研发、生产和销售的一体化存储器制造公司。公司总部位于安徽合肥，并在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，赢得了市场的广泛认可。
今年10月，长鑫存储宣布已量产LPDDR5X产品。当时，公司在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前，长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点；芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案；模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同时兼容LPDDR5。长鑫存储透露，目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。
存储芯片价格持续上涨，AI需求推动市场高景气度最近几个月，全球存储芯片市场迎来了一波涨价潮。据DRAMexchange数据，近期主要存储原厂陆续暂停DDR5合约报价，DDR5（16Gb）现货平均价格已从9月底的7.676美元飙升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合约平均价格也在9月环比上涨11%，显示出存储芯片市场的强劲需求。
存储厂SanDisk（闪迪）在11月将NAND Flash合约价上调50%，并在公布强劲业绩的同时，预测NAND供不应求的趋势或将持续到2026年年底。另外，受全球人工智能数据中心建设热潮的影响，三星电子11月也大幅上调了部分存储芯片价格，较9月份涨幅最高达60%，进一步加剧了存储芯片市场的紧张局势。
作为全球最大的存储芯片制造商，三星曾在10月决定推迟正式公布供应合同定价——通常情况下，该公司每月都会公布定价细节。此次涨价正是在此之后，路透社指出，这些主要应用于服务器的存储芯片价格飙升，可能进一步加剧大型企业在扩建数据中心基础设施过程中面临的压力，同时也可能推高智能手机、电脑等其他终端产品的制造成本，因为此类芯片亦被广泛用于上述设备中。
日前，交银国际发布研报，维持对存储价格将继续坚挺的判断。报告认为，DRAM的强劲价格将至少延续至2026年三季度，并预计NAND价格将继续保持强劲到至少2026年三季度（之前预计为2026年上半年）。同时，交银国际认为，存储价格的上涨或将继续令智能手机、消费电子等公司的利润水平承压。
长城证券表示，此次NAND Flash的价格大幅增长，一方面源于头部存储厂商通过主动调控供应来扭转此前因供过于求导致的价格低迷局面，从而提升盈利能力；另一方面，受AI对储存容量需求急速攀升的影响，存储厂商将更多产能转向更高阶的工艺，造成传统消费级存储产能受到挤压。
根据Omdia的年度NAND闪存产量数据，三星电子已将今年的NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较去年的507万片减少约7%。铠侠也将年产量从去年的480万片调减至469万片。Omdia预计，三星和铠侠的减产趋势将持续到明年。SK海力士的NAND产量已从去年的约201万片降至约180万片，降幅约10%；美光也采取保守的供应策略，将其最大NAND生产基地新加坡Fab 7工厂的产量维持在约30万片的较低水平。
根据闪迪的最新业绩会，该公司指出，NAND需求显著超过供应，这一态势自2025年起已显现，并将持续贯穿整个2026年日历年，甚至可能延续至2027年及以后。公司预计2026年数据中心市场的位元需求将同比增长40%以上，增长主要源于客户在数据中心和边缘侧寻求更高的AI推理能力，对解决AI推理存储问题的创新方案需求激增。此外，已有客户主动寻求长期供应保障，部分已开始洽谈2027年供货协议。因此，受益AI需求持续旺盛，存储高景气度有望延续至2027年。
责编：王璐璐
排版：刘珺宇
对：吕久彪
11月23日，在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储正式发布了其最新的DDR5产品系列，该系列最高速率高达8000Mbps，最高颗粒容量达到24Gb，展现了国产存储芯片在速率与容量上的双重突破。同时，长鑫存储还现场展示了其最新LPDDR5X移动端内存，最高速率可达10667 Mbps，最高颗粒容量为16Gb，进一步巩固了其在移动存储市场的领先地位。
多家行业媒体纷纷报道，长鑫存储此次发布的两大产品系列在速率和容量两个维度上均位居业界第一梯队，这标志着国产存储芯片已经具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力，为国产存储芯片的发展注入了新的活力。
长鑫存储DDR5内存新品发布，覆盖全场景领域据长鑫存储官网消息，在11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，首次全面展示了其DDR5和LPDDR5X两大产品线的最新产品。
长鑫存储发布的最新DDR5产品系列，不仅最高速率达到了惊人的8000Mbps，最高颗粒容量也提升至24Gb。此外，长鑫存储还推出了UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖了服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足了各领域对高端存储芯片的市场需求。
与此同时，长鑫存储还同台展出了其近期发布的LPDDR5X产品。该系列针对移动市场旗舰产品，最高速率可达10667Mbps，最高颗粒容量为16Gb，并涵盖了12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案，为移动设备提供了更加丰富的存储选择。
长鑫存储表示，公司通过DDR与LPDDR双线创新突破，将进一步丰富全球存储芯片的供给，为下游客户创造多元价值选择。长鑫存储将持续深耕技术迭代，精准响应市场需求，以自主实力引领产业生态协同升级。
长鑫存储：一体化存储器制造的佼佼者公开资料显示，长鑫存储是一家专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）设计、研发、生产和销售的一体化存储器制造公司。公司总部位于安徽合肥，并在国内外拥有多个研发中心和分支机构。长鑫存储已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域，赢得了市场的广泛认可。
今年10月，长鑫存储宣布已量产LPDDR5X产品。当时，公司在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前，长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点；芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案；模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同时兼容LPDDR5。长鑫存储透露，目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。
存储芯片价格持续上涨，AI需求推动市场高景气度最近几个月，全球存储芯片市场迎来了一波涨价潮。据DRAMexchange数据，近期主要存储原厂陆续暂停DDR5合约报价，DDR5（16Gb）现货平均价格已从9月底的7.676美元飙升至11月7日的20.938美元。DDR4（8Gb）和NAND（128Gb MLC）的合约平均价格也在9月环比上涨11%，显示出存储芯片市场的强劲需求。
存储厂SanDisk（闪迪）在11月将NAND Flash合约价上调50%，并在公布强劲业绩的同时，预测NAND供不应求的趋势或将持续到2026年年底。另外，受全球人工智能数据中心建设热潮的影响，三星电子11月也大幅上调了部分存储芯片价格，较9月份涨幅最高达60%，进一步加剧了存储芯片市场的紧张局势。
作为全球最大的存储芯片制造商，三星曾在10月决定推迟正式公布供应合同定价——通常情况下，该公司每月都会公布定价细节。此次涨价正是在此之后，路透社指出，这些主要应用于服务器的存储芯片价格飙升，可能进一步加剧大型企业在扩建数据中心基础设施过程中面临的压力，同时也可能推高智能手机、电脑等其他终端产品的制造成本，因为此类芯片亦被广泛用于上述设备中。
日前，交银国际发布研报，维持对存储价格将继续坚挺的判断。报告认为，DRAM的强劲价格将至少延续至2026年三季度，并预计NAND价格将继续保持强劲到至少2026年三季度（之前预计为2026年上半年）。同时，交银国际认为，存储价格的上涨或将继续令智能手机、消费电子等公司的利润水平承压。
长城证券表示，此次NAND Flash的价格大幅增长，一方面源于头部存储厂商通过主动调控供应来扭转此前因供过于求导致的价格低迷局面，从而提升盈利能力；另一方面，受AI对储存容量需求急速攀升的影响，存储厂商将更多产能转向更高阶的工艺，造成传统消费级存储产能受到挤压。
根据Omdia的年度NAND闪存产量数据，三星电子已将今年的NAND晶圆产量目标下调至约472万片，较去年的507万片减少约7%。铠侠也将年产量从去年的480万片调减至469万片。Omdia预计，三星和铠侠的减产趋势将持续到明年。SK海力士的NAND产量已从去年的约201万片降至约180万片，降幅约10%；美光也采取保守的供应策略，将其最大NAND生产基地新加坡Fab 7工厂的产量维持在约30万片的较低水平。
根据闪迪的最新业绩会，该公司指出，NAND需求显著超过供应，这一态势自2025年起已显现，并将持续贯穿整个2026年日历年，甚至可能延续至2027年及以后。公司预计2026年数据中心市场的位元需求将同比增长40%以上，增长主要源于客户在数据中心和边缘侧寻求更高的AI推理能力，对解决AI推理存储问题的创新方案需求激增。此外，已有客户主动寻求长期供应保障，部分已开始洽谈2027年供货协议。因此，受益AI需求持续旺盛，存储高景气度有望延续至2027年。
责编：王璐璐
排版：刘珺宇
对：吕久彪